Samsung начала поставки HBM4 - новой памяти для ИИ со скоростью 11,7 Гбит/с → Блог → 3000+ AI нейросетей на одном сайте

Samsung начала поставки HBM4 - новой памяти для ИИ со скоростью 11,7 Гбит/с

Андрей Сарапулов · чтения · 14.02.2026 · Последние правки от 14.02.2026 в 12:58

Samsung объявила о старте коммерческих поставок памяти HBM4 с пропускной способностью 3,3 ТБ/с и энергоэффективностью на 40% выше предшественника.

Samsung объявила, что не просто запустила массовое производство памяти HBM4, но уже отгрузила первые коммерческие партии заказчикам. Компания заявляет, что стала первой в индустрии, кто начал поставки нового поколения высокоскоростной памяти.

HBM4 производится по шестому поколению 10-нм техпроцесса для DRAM и использует базовый логический кристалл на 4-нм техпроцессе. По словам Samsung, это позволило выйти на стабильные показатели выхода годных без переделок в процессе наращивания производства. Правда, насколько это соответствует действительности, станет понятно только после масштабных внедрений и независимых тестов.

Новая память работает на стабильной скорости передачи 11,7 Гбит/с, с возможностью разгона до 13 Гбит/с в некоторых конфигурациях. Для сравнения - базовый показатель индустрии составляет 8 Гбит/с, а HBM3E достигает 9,6 Гбит/с. Общая пропускная способность на стек выросла до 3,3 ТБ/с - примерно в 2,7 раза выше, чем у предыдущего поколения.

Объем памяти варьируется от 24 до 36 ГБ в 12-слойных стеках, позже появятся 16-слойные версии с возможным увеличением до 48 ГБ для тех, кому нужны более плотные конфигурации.

Модуль памяти Samsung HBM4 и его внутренняя структура.

Энергопотребление - критичный момент, учитывая, что количество контактов выросло с 1024 до 2048. Samsung утверждает, что улучшила энергоэффективность примерно на 40% по сравнению с HBM3E благодаря низковольтным сквозным соединениям, оптимизации распределения питания и улучшенному теплоотводу.

"Вместо того чтобы идти проторенным путем и использовать проверенные решения, Samsung рискнула и применила самые передовые техпроцессы - 1c DRAM и 4-нм логику для HBM4", - заявил Санг Джун Хван, вице-президент и глава подразделения разработки памяти Samsung.

Компания рассчитывает на резкий рост бизнеса HBM в 2026 году. Образцы HBM4E планируются к концу года, а кастомные варианты HBM - в 2027-м. Посмотрим, как быстро конкуренты ответят на этот шаг и насколько долго продлится преимущество Samsung.